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       正確選用低壓無功補(bǔ)償電容投切裝置對(duì)于保證低壓無功補(bǔ)償設(shè)備的可靠性、經(jīng)濟(jì)型及補(bǔ)償效果有著十分重要的意義。目前在我國投入使用的低壓無功補(bǔ)償電容投切裝置主要有以下三種：

       ①接觸器投切電容裝置

       以接觸器為投切開關(guān)的低壓電容無功補(bǔ)償裝置，不宜頻繁進(jìn)行電容器的投切。否則，投切時(shí)所產(chǎn)生的過電壓和沖擊電流將對(duì)自愈式電容器造成危害，使容量下降，以及絕緣老化加速等，最終使電容器早期損壞。

       ②晶閘管投切電容裝置

       ③復(fù)合開關(guān)投切電容裝置

      電容常見的投切方式對(duì)比

      接觸器方式投切方式一
      優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格低、初期成本低
      缺點(diǎn)：涌流大（易對(duì)電容造成傷害），動(dòng)作時(shí)間長，故障高，維修頻繁
      復(fù)合開關(guān)投切方式二
      優(yōu)點(diǎn)：無涌流，不發(fā)熱，造價(jià)經(jīng)濟(jì)
      缺點(diǎn)：硅片薄，易擊穿燒毀；磁保繼電器有卡主現(xiàn)象
      友商晶閘管（可控硅）投切方式三
      優(yōu)點(diǎn)：過零投切，無涌流，無觸點(diǎn)，壽命長，維修少

       希拓電氣晶閘管模塊(三相)技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實(shí)現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。